就(jiù)在不(bù)久×✘之前，大(dà)多(duō)數(shù)微(wēi™ ∑±)波電(diàn)容器(qì)還(hái)都(dōu)基于多(duō)層陶™↕瓷燒制(zhì)技(jì)術(shù)。在生(shēng)産過程中，多(duō≈✘÷)層高(gāo)導電(diàn)性的(de)金(jīn)屬合金(jīn)電®₩✔(diàn)極層和(hé)低(dī)損耗的(de)陶瓷絕緣層交錯(cuò)排列≠ ₹，從(cóng)而得(de)到(dào)所需要(y↓×↓ào)的(de)電(diàn)容值。然後$↕₽，将合成的(de)疊層進行(xíng)高(gāo)溫$ε§✔燒制(zhì)，将其燒結成單片結構。這(zhè)一(yī)工(γ₹©gōng)藝目前仍然很(hěn)好(hǎo)地(±'"&dì)滿足大(dà)容量射頻(pín)電₩(diàn)容器(qì)以及大(dà)功率電(diàn)容器(q ¶∏ì)的(de)需要(yào)。
不(bù)過，> >多(duō)層陶瓷工(gōng)藝可(kě)能(néng)會(♣€♦huì)導緻不(bù)同批次産品以及同一(yī)批次不(δφ>bù)同産品之間(jiān)的(de)某些(xiē)參數(shù)出現(x₹←iàn)差異，而這(zhè)些(xiē)₽<參數(shù)對(duì)射頻(pín)設計(jì)人(rén)員™→φ(yuán)來(lái)說(shuō)是(shì)十分(fēn)重要(yàλ¥✘o)的(de)，如(rú)Q值、ESR，✔©®↕絕緣電(diàn)阻的(de)變化(huà)以及電(diàn)容值在整Ω≥個(gè)指定的(de)容差範圍內(nèi)的(de)變化(huà)。盡管★™在許多(duō)應用(yòng)場(chǎng)合中，這±♠(zhè)些(xiē)參數(shù)變化(huà)并不(bù)ε&✘'會(huì)産生(shēng)負面影(yǐng)響，目前在薄膜元件(ji₽α≥àn)生(shēng)産領域的(de)技(jì)術(shù)突破為(wèi)，₩♦•設計(jì)人(rén)員(yuán)提供了(le)≈$生(shēng)産高(gāo)頻(pín)微(wēi)波元件(ji∞≠àn)的(de)一(yī)種替代方案。
生(shēng)産半導體(tǐ)所使用(yò≈₩ng)的(de)薄膜技(jì)術(shù)也(yě)可(kě)以同樣用(yò¶φδng)于生(shēng)産具有(yǒu)嚴格的(de)電(diàn)氣和(hé↓♥)物(wù)理(lǐ)特性的(de)薄膜♥£無源元件(jiàn)。線寬尺寸和(hé)絕緣層厚度可♠(kě)分(fēn)别達到(dào)1μm和(hé)10nm以下§&(xià)。
嚴格的(de)線寬尺寸帶來(lái)了(le)嚴格♠→ 的(de)參數(shù)容差(電(diàn)感值和(hé)電$→(diàn)容值)，此外(wài)，其他(tā)ε♣幾項電(diàn)氣性能(néng)優勢也(δ₩yě)可(kě)以得(de)到(dào)進一(yī)步優化(huà)£ 。由于采用(yòng)了(le)高(gāo)真空(k♥ ōng)電(diàn)極沉積工(gōng)藝，不™α£™(bù)同批次産品之間(jiān)以及同一(yī)批次不(bù)同産品之間( πjiān)的(de)ESR值極其穩定。而通(tōng)™Ω過化(huà)學氣相(xiàng)沉積工(gōng)藝(CVD)得δ¥∞(de)到(dào)的(de)超純淨、低(dī)K值的σ✔(de)絕緣層使得(de)Q值和(hé)ESγ↑γR值都(dōu)十分(fēn)穩定。在很(hěn)寬的(de)頻(p↓↓ín)率範圍內(nèi)阻抗值具有(yǒu)穩定性和(hé)可(kě)預測性。 平面栅格陣列(LGA)封裝工(gōng)藝使其能(néng)夠降低(dī)寄★φ₹✘生(shēng)參數(shù)。
薄膜元件(jiàn)的(de)這(zhè)些(xi↔₩ē)性能(néng)優勢會(huì)對(duì)設計(jì)∑∏♠産生(shēng)影(yǐng)響。通(tōng)常，對>< ←(duì)于實現(xiàn)某一(yī)特定電(diàn)路(lù)功能(nφ≤éng)，可(kě)以減少(shǎo)所需的(de)元件(jiàn)數(shα"ù)量。通(tōng)過減少(shǎo)所用(yòng)的(de)元件≈γ✘(jiàn)數(shù)量，不(bù)但(dàn)會(h♦★♠uì)減小(xiǎo)設計(jì)尺寸，還€™§™(hái)會(huì)節省組裝時(shí)間(jiān)和(hé)降 ®低(dī)組裝費(fèi)用(yòng)，同時(shí)提高(gāo)産品的(☆≤de)可(kě)靠性。此外(wài)，由于元件(jiàn)的£♦λ(de)電(diàn)氣性能(néng)更加穩定，損←♣©耗更低(dī)，應用(yòng)此元件(jiàn)的(de)産品的(de≈α✘δ)整體(tǐ)電(diàn)氣性能(néng∞ )也(yě)會(huì)得(de)到(d↕₹ào)提升。
實例：帶阻濾波器(qì)
帶阻濾波器(qì)就(jiù)是≤∞×(shì)薄膜元件(jiàn)的(de)一(yī)個(gè)實際應用(yòng¶×☆☆)。帶阻濾波器(qì)的(de)電(diàn™γ¶")路(lù)設計(jì)是(shì)阻止特定射頻(p ≤ín)頻(pín)譜的(de)信号通(tōng)¶↑δ過而允許其他(tā)信号無衰減通(tōng)過。它也(yě)常被稱為₹Ω♦(wèi)陷波濾波器(qì)、帶止濾波器(qì)或頻(pín)帶抑制(Ω↓zhì)濾波器(qì)。帶阻濾波器(qì)≥₹β常用(yòng)于功率放(fàng)大(dà)器(qì)和(h×φ é)天線前面的(de)匹配電(diàn)路(l'$&→ù)之間(jiān)。
以一(yī)個(gè♠δ)典型應用(yòng)為(wèi)例。複雜(zá)的(de)、覆蓋範圍廣的(d★↕e)多(duō)帶無線電(diàn)接收器(qì)ε∏☆常會(huì)意外(wài)産生(shēng✔≠↑≈)差頻(pín)和(hé)諧波，窄帶陷波濾波器(qì)就(j$→♥εiù)用(yòng)于衰減這(zhè)些(xiē)差頻(pín)和÷☆↑§(hé)諧波。由于薄膜近(jìn)乎完美(měi)的(★←de)特性，使用(yòng)一(yī)個(★®≤↑gè)高(gāo)品質薄膜電(diàn)容器(qì)就(jiù)可(™εΩkě)以替換掉雙T形設計(jì)中所使用(yòng)的(de)6個(gè)元¥♣件(jiàn)。
